一、产品介绍

氮化铝陶瓷基板：

具有优良的导热性、较低的介电常数和介质损耗，可靠的绝缘性能；

优良的力学性能，无毒，耐高温，耐化学腐蚀；

具有优良的热学、力学、电学性能，高导热率、高强度等特性；

与硅的热膨胀系数相近，更适合大功率大电流的应用场景；

作为一种性能极强的陶瓷材料，受到人们的关注和重视，逐步成为中高端IGBT模块最优方案，其性能优越有望成为IGBT和SiC功率器件基板应用新趋势。我司生产的氮化铝陶瓷基板，广泛应用于通讯器件、高亮度LED、功率半导体器件等行业。

二、性能对比

（1）热导率高，是氧化铝陶瓷的5-10倍，与剧毒氧化铍（BeO）相当；

（2）热膨胀系数（4.3×10-6/℃）与半导体硅材料（3.5-4.0×10-6/℃）匹配；

（3）机械性能好，抗弯强度高于BeO陶瓷，接近氧化铝；

（4）电性能优良，具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗；

（5）电路材料的相容性好，可以进行多层布线，实现封装的高密度和小型化；

（6）无毒，有利于环保。

三、应用领域

(1) 光电通信器件

(2) LED行业

(3) 汽车电子功能模块

(4) 大功率电源模块

(5) 高频微波应用器件

(6) 电力、电子元器件

四、产品性能参数

五、常用规格书（可定制）